Справочник MOSFET. UT2302G-AE3-R

 

UT2302G-AE3-R MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: UT2302G-AE3-R
   Маркировка: 23BG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 0.45(min) V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 5.2 nC
   trⓘ - Время нарастания: 55 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: SOT23

 Аналог (замена) для UT2302G-AE3-R

 

 

UT2302G-AE3-R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:288K  utc
 ut2302g-ae2-r ut2302g-ae3-r.pdf

UT2302G-AE3-R UT2302G-AE3-R

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT2302 Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION The UTC UT2302 is N-channel Power MOSFET, designed with high density cell, with fast switching speed, ultra low on-resistance,and excellent thermal and electrical capabilities. Used in commercial and industrial surface mount applicationsand suited for low voltage applications such a

 3.1. Size:1511K  cn vbsemi
 ut2302g-ae3.pdf

UT2302G-AE3-R UT2302G-AE3-R

UT2302G-AE3www.VBsemi.twN-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)e Qg (Typ.)Definition0.028 at VGS = 4.5 V TrenchFET Power MOSFET6a 100 % Rg Tested20 0.042 at VGS = 2.5 V 6a 8.8 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.050 at VGS = 1.8 V 5.6APPLICATIONS DC/

 8.1. Size:269K  utc
 ut2302.pdf

UT2302G-AE3-R UT2302G-AE3-R

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT2302 Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION The UTC UT2302 is N-channel Power MOSFET, designed with high density cell, with fast switching speed, ultra low on-resistance,and excellent thermal and electrical capabilities. Used in commercial and industrial surface mount applications andsuited for low voltage applications such as

 8.2. Size:911K  cn vbsemi
 ut2302l-ae3.pdf

UT2302G-AE3-R UT2302G-AE3-R

UT2302L-AE3www.VBsemi.twN-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)e Qg (Typ.)Definition0.028 at VGS = 4.5 V TrenchFET Power MOSFET6a 100 % Rg Tested20 0.042 at VGS = 2.5 V 6a 8.8 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.050 at VGS = 1.8 V 5.6APPLICATIONS DC/

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , STP80NF70 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 

Back to Top