Справочник MOSFET. UT8205AL-AL6-R

 

UT8205AL-AL6-R MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: UT8205AL-AL6-R
   Маркировка: 8205L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.14 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 8.4 nC
   trⓘ - Время нарастания: 2.7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 78 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
   Тип корпуса: SOT26

 Аналог (замена) для UT8205AL-AL6-R

 

 

UT8205AL-AL6-R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:420K  utc
 ut8205al-al6-r ut8205ag-ag6-r ut8205al-s08-r ut8205ag-s08-r ut8205al-p08-r ut8205ag-p08-r.pdf

UT8205AL-AL6-R UT8205AL-AL6-R

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT8205A Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION The UT8205A uses advanced technology to provide fast switching, low on-resistance and cost-effectiveness. This device is suitable for all commercial-industrial surface mount applications. FEATURES * RDS(ON) 28m @ VGS=4.5V, ID=6.0A * Fast switching capability * Avalanch

 7.1. Size:217K  utc
 ut8205a.pdf

UT8205AL-AL6-R UT8205AL-AL6-R

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT8205A Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION The UT8205A uses advanced technology to provide fast switching, low on-resistance and cost-effectiveness. This device is suitable for all commercial-industrial surface mount applications. FEATURES * RDS(ON) 28m @VGS = 4.5 V * Ultra low gate charge ( typical 23 nC ) * Low re

 7.2. Size:1472K  cn vbsemi
 ut8205ag-ag6.pdf

UT8205AL-AL6-R UT8205AL-AL6-R

UT8205AG-AG6www.VBsemi.twDual N-Channel MOSFET FEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free Option AvailableVDS (V) RDS(on) ()ID (A)Pb-free TrenchFET Power MOSFETs0.024 at VGS = 4.5 V Available6.0 100 % Rg Tested20RoHS*0.028 at VGS = 2.5 V Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC5.0COMPLIANTTSOP6DDTop ViewS1 1 6 G1D1/D2 2 5 D1/D2G1 G2S2 G2

 7.3. Size:405K  cn tech public
 ut8205ag-ag6.pdf

UT8205AL-AL6-R UT8205AL-AL6-R

www.sot23.com.twwww.sot23.com.twwww.sot23.com.twwww.sot23.com.twwww.sot23.com.twwww.sot23.com.twwww.sot23.com.twwww.sot23.com.twwww.sot23.com.twwww.sot23.com.tw

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top