UTM2054G-AB3-R - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: UTM2054G-AB3-R
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.47 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
Тип корпуса: SOT89
Аналог (замена) для UTM2054G-AB3-R
UTM2054G-AB3-R Datasheet (PDF)
utm2054l-ab3-r utm2054g-ab3-r utm2054l-ae3-r utm2054g-ae3-r.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTM2054 Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION The UTM2054 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES * RDS(ON)= 35m @VGS=10V * RDS(ON)= 45m @VGS=4.5V * RDS(ON)= 11
utm2054.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTM2054 Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION The UTM2054 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES * RDS(ON)= 35m @VGS=10V * RDS(ON)= 45m @VGS=4.5V * RDS(ON)= 11
utm2054.pdf

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETUTM2054 (KTM2054)1.70 0.1 Features VDS (V) = 20V ID = 5 A (VGS = 10V) RDS(ON) 40m (VGS = 10V)0.42 0.10.46 0.1 RDS(ON) 54m (VGS = 4.5V) RDS(ON) 130m (VGS = 2.5V)1.Gate Fast switching capability2.Drain3.SourceDrainGateSource Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rat
Другие MOSFET... UT9435HL-S08-R , UT9435HG-S08-R , UT9564L-TN3-R , UT9564G-TN3-R , UT9564G-S08-R , UTD408L-TN3-R , UTD408G-TN3-R , UTM2054L-AB3-R , IRF730 , UTM2054L-AE3-R , UTM2054G-AE3-R , UTM4052L-S08-R , UTM4052G-S08-R , UTM4052L-TN4-R , UTM4052G-TN4-R , UTM4052L-TN4-T , UTM4052G-TN4-T .
History: HY029N10P | TK16E60W | 2SK2958 | SIS439DNT | NVD5C454N | SI4896DY | HM30P02K
History: HY029N10P | TK16E60W | 2SK2958 | SIS439DNT | NVD5C454N | SI4896DY | HM30P02K



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
2sb647 | k3561 transistor | c3203 transistor | irfp450 equivalent | 2sb649 | 2sb324 transistor | b754 transistor | 2sc828 equivalent