Справочник MOSFET. UTM6016G-TA3-T

 

UTM6016G-TA3-T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: UTM6016G-TA3-T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 106 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 208 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: TO220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

UTM6016G-TA3-T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:261K  utc
 utm6016l-ta3-t utm6016g-ta3-t utm6016l-tn3-r utm6016g-tn3-r utm6016g-s08-r utm6016g-k08-5060-r.pdf pdf_icon

UTM6016G-TA3-T

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTM6016 Power MOSFET 8.0A, 60V N-CHANNEL FAST SWITCHING MOSFET 11TO-220 DESCRIPTION TO-252The UTC UTM6016 is an N-Channel MOSFET, it uses UTCs advanced technology to provide customers with a minimum on-state resistance, high switching speed and low gate charge. The UTC UTM6016 is suitable for application in networking 1DC-DC power s

 6.1. Size:858K  cn vbsemi
 utm6016g.pdf pdf_icon

UTM6016G-TA3-T

UTM6016Gwww.VBsemi.twN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Definition TrenchFET Power MOSFET0.012 at VGS = 10 V 12.660 10.5 nC Optimized for Low Side Synchronous0.015 at VGS = 4.5 V 11.6Rectifier Operation 100 % Rg and UIS TestedAPPLICATIONSD CC

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: SVS65R380DD4TR | UT3N01Z | CEB84A4 | SVG103R0NP7 | SVS11N60SD2 | SVGP104R5NASTR | SVG108R5NAMJ

 

 
Back to Top

 


 
.