Справочник MOSFET. UTT18P10G-TN3-R

 

UTT18P10G-TN3-R MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: UTT18P10G-TN3-R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 18 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 61(max) nC
   Время нарастания (tr): 73 ns
   Выходная емкость (Cd): 590 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.2 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для UTT18P10G-TN3-R

 

 

UTT18P10G-TN3-R Datasheet (PDF)

 0.1. Size:288K  utc
utt18p10l-tn3-r utt18p10g-tn3-r utt18p10l-ta3-t utt18p10g-ta3-t.pdf

UTT18P10G-TN3-R
UTT18P10G-TN3-R

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTT18P10 Power MOSFET 100V, 18A P-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC UTT18P10 is a P-channel power MOSFET usingUTCs advanced technology to provide the customers with high switching speed, cost-effectiveness and a minimum on-state resistance. It can also withstand high energy in the avalanche. FEATURES * RDS(ON)

 6.1. Size:275K  utc
utt18p10.pdf

UTT18P10G-TN3-R
UTT18P10G-TN3-R

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTT18P10 Power MOSFET 100V, 18A P-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC UTT18P10 is a P-channel power MOSFET using UTCs advanced technology to provide the customers with high switching speed, cost-effectiveness and a minimum on-state resistance. It can also withstand high energy in the avalanche. FEATURES * RDS(ON)

 8.1. Size:199K  utc
utt18p06.pdf

UTT18P10G-TN3-R
UTT18P10G-TN3-R

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTT18P06 Power MOSFET 18.3A, 60V P-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC UTT18P06 is a P-channel power MOSFET using UTCs advanced technology to provide the customers with high switching speed, cost-effectiveness and minimum on-state resistance. It can also withstand high energy in the avalanche. FEATURES * RDS(ON)

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top