Справочник MOSFET. UTT24N06G-TM3-T

 

UTT24N06G-TM3-T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: UTT24N06G-TM3-T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 49 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для UTT24N06G-TM3-T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

UTT24N06G-TM3-T Datasheet (PDF)

 0.1. Size:204K  utc
 utt24n06l-tm3-t utt24n06g-tm3-t utt24n06l-tn3-r utt24n06g-tn3-r.pdf pdf_icon

UTT24N06G-TM3-T

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTT24N06 Power MOSFET 24A, 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET DESCRIPTION The UTC UTT24N06 is an N-Channel enhancement mode MOSFET, it uses UTCs advanced technology to provide the customers with a minimum on state resistance and low gate charge, etc. The UTC UTT24N06 is suitable for switching application in Industry and converter ap

Другие MOSFET... UTM6016G-TN3-R , UTM6016G-S08-R , UTM6016G-K08-5060-R , UTT18P10L-TN3-R , UTT18P10G-TN3-R , UTT18P10L-TA3-T , UTT18P10G-TA3-T , UTT24N06L-TM3-T , IRFB4110 , UTT24N06L-TN3-R , UTT24N06G-TN3-R , UTT25P10L-TA3-T , UTT25P10G-TA3-T , UTT25P10L-TF3-T , UTT25P10G-TF3-T , UTT25P10L-TN3-R , UTT25P10G-TN3-R .

History: SVS5N70DD2TR | 2SK401 | DE275X2-102N06A | FQD8N25TF | HAT2020R | AP80SL990BH | OSG60R075HSZF

 

 
Back to Top

 


 
.