Справочник MOSFET. UTT6NP10G-TN4-R

 

UTT6NP10G-TN4-R MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: UTT6NP10G-TN4-R

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.1 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3.1 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 95 nC

Время нарастания (tr): 30 ns

Выходная емкость (Cd): 45 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.15 Ohm

Тип корпуса: TO252-4

Аналог (замена) для UTT6NP10G-TN4-R

 

 

UTT6NP10G-TN4-R Datasheet (PDF)

0.1. utt6np10l-tn4-r utt6np10g-tn4-r utt6np10l-s08-r utt6np10g-s08-r.pdf Size:285K _utc

UTT6NP10G-TN4-R UTT6NP10G-TN4-R

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTT6NP10 Power MOSFET DUAL ENHANCEMENT MODE (N-CHANNEL/P-CHANNEL) DESCRIPTION 1SOP-8The UTC UTT6NP10 incorporates an N-channel MOSFET and a P-channel MOSFETit uses UTCs advanced technology to provide customers a minimum on-state resistance and high-speed switching, thereby enabling high-density mounting. The UTC UTT6NP10 is univers

9.1. utt6n10.pdf Size:140K _utc

UTT6NP10G-TN4-R UTT6NP10G-TN4-R

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTT6N10 Power MOSFET 100V, 6A N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC UTT6N10 is an N-channel enhancement mode Power FET, it uses UTCs advanced technology to provide customers a 1minimum on-state resistance, high switching speed and ultra low SOT-223gate charge. The UTC UTT6N10 is usually used in DC-DC Conversion. FEATURES

9.2. utt6n10z.pdf Size:395K _kexin

UTT6NP10G-TN4-R UTT6NP10G-TN4-R

SMD Type MOSFETTransistorsN-Channel Power MOSFETUTT6N10Z Features Unit:mmSOT-2236.500.2 RDS(on) = 80m @VGS = 10V,ID=6A3.000.1 High Switching Speed Low Crss (Typically 3.1pF)4 Low Gate Charge (Typically 4.3nC) 1 2 32.Drain0.2502.30 (typ)0.84 (max)Gauge Plane0.66 (min)1.Gate1.Gate 2.Drain3.Source4.60 (typ) 4.Drain3.Sou

Другие MOSFET... CED6861 , CED95P04 , CEF14P20 , CEF15P15 , CEF6601 , CEH2305 , CEH2313 , CEH2321 , K2611 , CEH2331 , CEH3456 , CEM2163 , CEM2187 , CEM2281 , CEM2401 , CEM2407 , CEM3053 .

 

 
Back to Top