2P308G9 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры

   Наименование производителя: 2P308G9
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.08 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.02 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 100 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 250 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
     - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам