Справочник MOSFET. 2P601A9

 

2P601A9 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2P601A9
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.01 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 125 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 20 Ohm
   Тип корпуса: SOT-89
 

 Аналог (замена) для 2P601A9

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2P601A9 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:36K  russia
2p601a9.pdfpdf_icon

2P601A9

Другие MOSFET... UTT6NP10G-TN4-R , UTT6NP10L-S08-R , UTT6NP10G-S08-R , 2P302A , 2P308A9 , 2P308B9 , 2P308G9 , 2P308D9 , IRFZ24N , 2P7154AC , 2P7154BC , 2P7154VC , 2P802A , 2P819A , 2P821A , 2P821B , 2P826AC .

History: AP18P10GK | SFF116N10M | IRFH7934PBF

 

 
Back to Top

 


 
.