Справочник MOSFET. 2P829G

 

2P829G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2P829G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 125 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1200 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: КТ-43А
 

 Аналог (замена) для 2P829G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2P829G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:174K  russia
 2p829g.pdf pdf_icon

2P829G

U = 200 2829Ic = 40 R = 0,05 . - 2 -43-1.

 0.1. Size:160K  russia
 2p829g9.pdf pdf_icon

2P829G

U = 200 28299Ic = 40 R = 0,05 -95-1

 9.1. Size:154K  russia
 2p829i9.pdf pdf_icon

2P829G

U = 200 28299Ic = 40 R = 0,05 -95-1

 9.2. Size:162K  russia
 2p829j.pdf pdf_icon

2P829G

U = 30 2829Ic = 80 R = 0,03 . - 2 -43-1.

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... 2P821B , 2P826AC , 2P829A , 2P829A9 , 2P829B , 2P829B9 , 2P829V , 2P829V9 , IRFB31N20D , 2P829G9 , 2P829D , 2P829D9 , 2P829E , 2P829E9 , 2P829J , 2P829J9 , 2P829I9 .

History: NP80N055KHE | 5N65G-TA3-T | 5N65G-TF3T-T

 

 
Back to Top

 


 
.