Справочник MOSFET. 2P829D9

 

2P829D9 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2P829D9
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 125 °C
   trⓘ - Время нарастания: 68 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2600 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: КТ-95-1
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

2P829D9 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:167K  russia
 2p829d9.pdf pdf_icon

2P829D9

U = 100 28299Ic = 50 R = 0,01 -95-1

 8.1. Size:171K  russia
 2p829d.pdf pdf_icon

2P829D9

U = 100 2829Ic = 50 R = 0,01 . - 2 -43

 9.1. Size:154K  russia
 2p829i9.pdf pdf_icon

2P829D9

U = 200 28299Ic = 40 R = 0,05 -95-1

 9.2. Size:162K  russia
 2p829j.pdf pdf_icon

2P829D9

U = 30 2829Ic = 80 R = 0,03 . - 2 -43-1.

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: IXFR80N60P3 | APT6025BVR | IXFK48N50Q | 2N7064 | FQD5N15TF | NTP5D0N15MC | AP4434GM

 

 
Back to Top

 


 
.