2P829D9 - описание и поиск аналогов

 

2P829D9. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2P829D9

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 125 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 68 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 2600 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm

Тип корпуса: КТ-95-1

Аналог (замена) для 2P829D9

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2P829D9 даташит

 ..1. Size:167K  russia
 2p829d9.pdf pdf_icon

2P829D9

 8.1. Size:171K  russia
 2p829d.pdf pdf_icon

2P829D9

U = 100 2829 Ic = 50 R = 0,01 . - 2 -43

 9.1. Size:154K  russia
 2p829i9.pdf pdf_icon

2P829D9

 9.2. Size:162K  russia
 2p829j.pdf pdf_icon

2P829D9

U = 30 2829 Ic = 80 R = 0,03 . - 2 -43-1.

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... 2P829A9 , 2P829B , 2P829B9 , 2P829V , 2P829V9 , 2P829G , 2P829G9 , 2P829D , 2N60 , 2P829E , 2P829E9 , 2P829J , 2P829J9 , 2P829I9 , 2P903A , 2P903B , 2P903V .

History: 2SK591 | AOC2403

 

 

 

 

↑ Back to Top
.