Справочник MOSFET. 2P829D9

 

2P829D9 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2P829D9
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 125 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 68 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2600 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: КТ-95-1
 

 Аналог (замена) для 2P829D9

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2P829D9 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:167K  russia
 2p829d9.pdf pdf_icon

2P829D9

U = 100 28299Ic = 50 R = 0,01 -95-1

 8.1. Size:171K  russia
 2p829d.pdf pdf_icon

2P829D9

U = 100 2829Ic = 50 R = 0,01 . - 2 -43

 9.1. Size:154K  russia
 2p829i9.pdf pdf_icon

2P829D9

U = 200 28299Ic = 40 R = 0,05 -95-1

 9.2. Size:162K  russia
 2p829j.pdf pdf_icon

2P829D9

U = 30 2829Ic = 80 R = 0,03 . - 2 -43-1.

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... 2P829A9 , 2P829B , 2P829B9 , 2P829V , 2P829V9 , 2P829G , 2P829G9 , 2P829D , IRF830 , 2P829E , 2P829E9 , 2P829J , 2P829J9 , 2P829I9 , 2P903A , 2P903B , 2P903V .

History: FQB8P10TM | VBFB1203M

 

 
Back to Top

 


 
.