2P829E9 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: 2P829E9
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 125 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 540 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 3200 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
Тип корпуса: КТ-95-1
Аналог (замена) для 2P829E9
2P829E9 Datasheet (PDF)
Другие MOSFET... 2P829B9 , 2P829V , 2P829V9 , 2P829G , 2P829G9 , 2P829D , 2P829D9 , 2P829E , AO3401 , 2P829J , 2P829J9 , 2P829I9 , 2P903A , 2P903B , 2P903V , 2P922A , 2P977A .
History: CS7233 | PHP23NQ11T | SPB80N06S2L-09 | 2SJ288 | SWD10N65K | SI7358ADP | IXTM4N45
History: CS7233 | PHP23NQ11T | SPB80N06S2L-09 | 2SJ288 | SWD10N65K | SI7358ADP | IXTM4N45



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2sc1735 | transistor 2sc5200 | 2sb560 transistor | a1273 | c3421 transistor | c644 transistor | fgpf4536 datasheet | p20nm60fp datasheet