2P829E9 - описание и поиск аналогов

 

2P829E9. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2P829E9

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 125 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 540 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 3200 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm

Тип корпуса: КТ-95-1

Аналог (замена) для 2P829E9

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2P829E9 даташит

 ..1. Size:170K  russia
 2p829e9.pdf pdf_icon

2P829E9

 8.1. Size:180K  russia
 2p829e.pdf pdf_icon

2P829E9

U = 60 2829 Ic = 60 R = 0,005 . - 2 -43-

 9.1. Size:154K  russia
 2p829i9.pdf pdf_icon

2P829E9

 9.2. Size:162K  russia
 2p829j.pdf pdf_icon

2P829E9

U = 30 2829 Ic = 80 R = 0,03 . - 2 -43-1.

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... 2P829B9 , 2P829V , 2P829V9 , 2P829G , 2P829G9 , 2P829D , 2P829D9 , 2P829E , P60NF06 , 2P829J , 2P829J9 , 2P829I9 , 2P903A , 2P903B , 2P903V , 2P922A , 2P977A .

History: IRF8736TR | WMK05N105C2

 

 

 

 

↑ Back to Top
.