2P829I9 - описание и поиск аналогов

 

2P829I9. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2P829I9

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 125 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1200 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm

Тип корпуса: КТ-94-2

Аналог (замена) для 2P829I9

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2P829I9 даташит

 ..1. Size:154K  russia
 2p829i9.pdf pdf_icon

2P829I9

 9.1. Size:162K  russia
 2p829j.pdf pdf_icon

2P829I9

U = 30 2829 Ic = 80 R = 0,03 . - 2 -43-1.

 9.2. Size:170K  russia
 2p829e9.pdf pdf_icon

2P829I9

 9.3. Size:153K  russia
 2p829v9.pdf pdf_icon

2P829I9

U = 600 28299 Ic = 20 R = 0,15 -106-1

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... 2P829G , 2P829G9 , 2P829D , 2P829D9 , 2P829E , 2P829E9 , 2P829J , 2P829J9 , IRFB31N20D , 2P903A , 2P903B , 2P903V , 2P922A , 2P977A , 2P978A , 2P978B , 2P978V .

History: 3N80G-TN3-R | STD35NF3LL | DMN95H8D5HCT | LBSS139LT3G | DMNH4006SPSQ | KX9435 | 3N80AF

 

 

 

 

↑ Back to Top
.