2P829I9 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: 2P829I9
Маркировка: 2П829И9
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 125 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1200 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
Тип корпуса: КТ-94-2
- подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам
2P829I9 Datasheet (PDF)
Другие MOSFET... 2P829G , 2P829G9 , 2P829D , 2P829D9 , 2P829E , 2P829E9 , 2P829J , 2P829J9 , IRF730 , 2P903A , 2P903B , 2P903V , 2P922A , 2P977A , 2P978A , 2P978B , 2P978V .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JVC502E | JVC113T | JVC105E | JVC103T | JVC103K | JVC085T | JMTY2310A | JMTY11DN10A | JMTV3400A | JVL102Y | JVL102T | JVL102E | JVL101N | JVE103T | JVE102T | JVE102G
Popular searches
a1273 | c3421 transistor | c644 transistor | fgpf4536 datasheet | p20nm60fp datasheet | 2sc1943 | 7408 mosfet | cs630