2P979V. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2P979V

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 420 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 125 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 40 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 125 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm

Тип корпуса: SOT-262

Аналог (замена) для 2P979V

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2P979V даташит

 ..1. Size:109K  russia
 2p979v.pdf pdf_icon

2P979V

2979 n- , DMOS

 9.1. Size:100K  russia
 2p979b.pdf pdf_icon

2P979V

2979 n- , DMOS

 9.2. Size:100K  russia
 2p979a.pdf pdf_icon

2P979V

2979 n- , DMOS

Другие IGBT... 2P977A, 2P978A, 2P978B, 2P978V, 2P978G, 2P978D, 2P979A, 2P979B, RU7088R, 2P980A, 2P980BC, 2P981A, 2P981BC, 2P981VC, 2P985A-2, 2P985B-2, 2P985V-2