FDMA2002NZ MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FDMA2002NZ
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.5 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2.9 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 2.4 nC
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.123 Ohm
Тип корпуса: MICROFET
Аналог (замена) для FDMA2002NZ
FDMA2002NZ Datasheet (PDF)
fdma2002nz.pdf
May 20 0ttmtmtmFDMA2002NZDual N-Channel PowerTrench MOSFETGeneral Description Features 2.9 A, 30 V RDS(ON) = 123 m @ VGS = 4.5 V This device is designed specifically as a single package RDS(ON) = 140 m @ VGS = 3.0 V solution for dual switching requirements in cellular RDS(ON) = 163 m @ VGS = 2.5 V handset and other ultra-portable applications. It fea
fdma2002nz.pdf
Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur
fdma291p.pdf
April 2009tmFDMA291PSingle P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFETGeneral Description FeaturesThis device is designed specifically for battery charge 6.6 A, 20V. rDS(ON) = 42 m @ VGS = 4.5V or load switching in cellular handset and other ultra- rDS(ON) = 58 m @ VGS = 2.5V portable applications. It features a MOSFET with low rDS(ON) = 98 m @ VGS =
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
