KP813B - Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: KP813B
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 125 °C
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
Тип корпуса: TO3
Аналог (замена) для KP813B
KP813B технические параметры
Другие MOSFET... KP809V1 , KP809G , KP809G1 , KP809D , KP809D1 , KP809E , KP809E1 , KP813A , IRF4905 , KP901A , KP901B , KP902A , KP903A , KP903B , KP903V , DN3134KW , QM3058M6 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP3100A | AP30P06K | AP30P06 | AP30N04K | AP30N03K | AP30H80K | AP30H60K | AP30H220G | AP30H180K | AP30H150Q | AP30H150K | AP30H150G | AP3065SD | AP3004S | AP3003 | AP3002S
Popular searches
2n3567 | 2sc1226 | 2sd180 | 2sd235 | k3502 datasheet | p0903bdg datasheet | 2sa722 | f1010e mosfet datasheet


