KP813B datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KP813B  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 125 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm

Тип корпуса: TO3

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для KP813B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KP813B даташит

 ..1. Size:1112K  russia
 kp813a kp813b.pdf pdf_icon

KP813B

Другие IGBT... KP809V1, KP809G, KP809G1, KP809D, KP809D1, KP809E, KP809E1, KP813A, IRF4905, KP901A, KP901B, KP902A, KP903A, KP903B, KP903V, DN3134KW, QM3058M6