SPB100N08S2L-07 - описание и поиск аналогов

 

SPB100N08S2L-07. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SPB100N08S2L-07

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 75 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 41 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1080 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для SPB100N08S2L-07

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SPB100N08S2L-07 даташит

 0.1. Size:200K  1
spp100n08s2l-07 spb100n08s2l-07.pdfpdf_icon

SPB100N08S2L-07

SPP100N08S2L-07 SPB100N08S2L-07 OptiMOS Power-Transistor Product Summary Feature VDS 75 V N-Channel RDS(on) max. SMD version 6.5 m Enhancement mode ID 100 A Logic Level P- TO263 -3-2 P- TO220 -3-1 175 C operating temperature Avalanche rated dv/dt rated Type Package Ordering Code Marking SPP100N08S2L-07 P- TO220 -3-1 Q67060-S6045 PN08L07 SPB100N0

 3.1. Size:309K  infineon
spp100n08s2-07 spb100n08s2-07.pdfpdf_icon

SPB100N08S2L-07

SPP100N08S2-07 SPB100N08S2-07 OptiMOS Power-Transistor Product Summary Feature VDS 75 V N-Channel RDS(on) max. SMD version 6.8 m Enhancement mode ID 100 A 175 C operating temperature P- TO263 -3-2 P- TO220 -3-1 Avalanche rated dv/dt rated Type Package Ordering Code Marking SPP100N08S2-07 P- TO220 -3-1 Q67060-S6044 PN0807 SPB100N08S2-07 P- TO263 -3-2

 6.1. Size:312K  1
spp100n06s2-05 spb100n06s2-05.pdfpdf_icon

SPB100N08S2L-07

SPP100N06S2-05 SPB100N06S2-05 OptiMOS Power-Transistor Product Summary Feature VDS 55 V N-Channel RDS(on) max. SMD version 4.7 m Enhancement mode ID 100 A 175 C operating temperature P- TO263 -3-2 P- TO220 -3-1 Avalanche rated dv/dt rated Type Package Ordering Code Marking SPP100N06S2-05 P- TO220 -3-1 Q67060-S6048 PN0605 SPB100N06S2-05 P- TO263 -3-2

 6.2. Size:310K  infineon
spp100n06s2l-05 spb100n06s2l-05.pdfpdf_icon

SPB100N08S2L-07

SPP100N06S2L-05 SPB100N06S2L-05 OptiMOS Power-Transistor Product Summary Feature VDS 55 V N-Channel RDS(on) max. SMD version 4.4 m Enhancement mode ID 100 A Logic Level P- TO263 -3-2 P- TO220 -3-1 175 C operating temperature Avalanche rated dv/dt rated Type Package Ordering Code Marking SPP100N06S2L-05 P- TO220 -3-1 Q67060-S6043 PN06L05 SPB100N0

Другие MOSFET... KP902A , KP903A , KP903B , KP903V , DN3134KW , QM3058M6 , QM3056M6 , SPP100N08S2L-07 , 12N60 , CEF02N65D , CEP02N65D , CEB02N65D , HYG055N08NS1P , HYG055N08NS1B , HY1808AP , HY1808AM , HY1808AB .

History: BRFL10N65

 

 

 

 

↑ Back to Top
.