SPB100N08S2L-07. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: SPB100N08S2L-07
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 75 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 41 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1080 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для SPB100N08S2L-07
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SPB100N08S2L-07 даташит
spp100n08s2l-07 spb100n08s2l-07.pdf
SPP100N08S2L-07 SPB100N08S2L-07 OptiMOS Power-Transistor Product Summary Feature VDS 75 V N-Channel RDS(on) max. SMD version 6.5 m Enhancement mode ID 100 A Logic Level P- TO263 -3-2 P- TO220 -3-1 175 C operating temperature Avalanche rated dv/dt rated Type Package Ordering Code Marking SPP100N08S2L-07 P- TO220 -3-1 Q67060-S6045 PN08L07 SPB100N0
spp100n08s2-07 spb100n08s2-07.pdf
SPP100N08S2-07 SPB100N08S2-07 OptiMOS Power-Transistor Product Summary Feature VDS 75 V N-Channel RDS(on) max. SMD version 6.8 m Enhancement mode ID 100 A 175 C operating temperature P- TO263 -3-2 P- TO220 -3-1 Avalanche rated dv/dt rated Type Package Ordering Code Marking SPP100N08S2-07 P- TO220 -3-1 Q67060-S6044 PN0807 SPB100N08S2-07 P- TO263 -3-2
spp100n06s2-05 spb100n06s2-05.pdf
SPP100N06S2-05 SPB100N06S2-05 OptiMOS Power-Transistor Product Summary Feature VDS 55 V N-Channel RDS(on) max. SMD version 4.7 m Enhancement mode ID 100 A 175 C operating temperature P- TO263 -3-2 P- TO220 -3-1 Avalanche rated dv/dt rated Type Package Ordering Code Marking SPP100N06S2-05 P- TO220 -3-1 Q67060-S6048 PN0605 SPB100N06S2-05 P- TO263 -3-2
spp100n06s2l-05 spb100n06s2l-05.pdf
SPP100N06S2L-05 SPB100N06S2L-05 OptiMOS Power-Transistor Product Summary Feature VDS 55 V N-Channel RDS(on) max. SMD version 4.4 m Enhancement mode ID 100 A Logic Level P- TO263 -3-2 P- TO220 -3-1 175 C operating temperature Avalanche rated dv/dt rated Type Package Ordering Code Marking SPP100N06S2L-05 P- TO220 -3-1 Q67060-S6043 PN06L05 SPB100N0
Другие MOSFET... KP902A , KP903A , KP903B , KP903V , DN3134KW , QM3058M6 , QM3056M6 , SPP100N08S2L-07 , 12N60 , CEF02N65D , CEP02N65D , CEB02N65D , HYG055N08NS1P , HYG055N08NS1B , HY1808AP , HY1808AM , HY1808AB .
History: BRFL10N65
History: BRFL10N65
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
ecg123 | 2n5551 transistor equivalent | 13009 datasheet | 3dd15d transistor | pa110bda | 2sb1243 | a1123 transistor | skd502t datasheet





