Справочник MOSFET. CEP02N65D

 

CEP02N65D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CEP02N65D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 41 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6.9 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для CEP02N65D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEP02N65D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:342K  1
 cef02n65d cep02n65d ceb02n65d.pdf pdf_icon

CEP02N65D

CEP02N65D/CEB02N65D CEF02N65DPRELIMINARYN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP02N65D 650V 6.9 2A 10VCEB02N65D 650V 6.9 2A 10VCEF02N65D 650V 6.9 2A d 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.GSCEB SERIESCEP SERIES CEF S

 6.1. Size:391K  cet
 cep02n65a ceb02n65a cef02n65a.pdf pdf_icon

CEP02N65D

CEP02N65A/CEB02N65ACEF02N65AN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP02N65A 650V 10.5 1.3A 10VCEB02N65A 650V 10.5 1.3A 10VCEF02N65A 650V 10.5 1.3A d 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.GCEB SERIESCEP SERIES C

 6.2. Size:393K  cet
 cep02n65g ceb02n65g cef02n65g.pdf pdf_icon

CEP02N65D

CEP02N65G/CEB02N65GCEF02N65GN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP02N65G 650V 5.5 2A 10VCEB02N65G 650V 5.5 2A 10VCEF02N65G 650V 5.5 2A d 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.GSCEB SERIESCEP SERIES CEF SERIESTO-263(

 7.1. Size:393K  cet
 cep02n6g ceb02n6g cef02n6g.pdf pdf_icon

CEP02N65D

CEP02N6G/CEB02N6GCEF02N6GN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP02N6G 600V 5 2.2A 10VCEB02N6G 600V 5 2.2A 10VCEF02N6G 600V 5 2.2A d 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.GSCEB SERIESCEP SERIES CEF SERIESTO-263(DD-PAK

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... KP903B , KP903V , DN3134KW , QM3058M6 , QM3056M6 , SPP100N08S2L-07 , SPB100N08S2L-07 , CEF02N65D , IRF530 , CEB02N65D , HYG055N08NS1P , HYG055N08NS1B , HY1808AP , HY1808AM , HY1808AB , HY1808APS , HY1808APM .

History: NCEP12N12AS | WMO060N10HGS | SSM9918GJ | SIHG47N60AEF | WST6402 | NCEP080N10A | SUN0765F

 

 
Back to Top

 


 
.