Справочник MOSFET. AP3N9R5H

 

AP3N9R5H Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP3N9R5H
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 22.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 37.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 155 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для AP3N9R5H

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP3N9R5H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:382K  1
 ap3n9r5h.pdf pdf_icon

AP3N9R5H

AP3N9R5HHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD 100% Rg & UIS Test D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 9.5m Fast Switching Characteristic ID 37.8AGG RoHS Compliant & Halogen-FreeSSDescriptionAP4604 series arefrom Advanced Power innovated designAP3N9R5 seriesare fromAdvanced Power innovated

Другие MOSFET... HY1808AB , HY1808APS , HY1808APM , MDP1991 , NCE8580 , SRC60R090B , AONY36352 , HM25P06D , P0903BDG , EMB04N03H , HY3215W , KPS8N65F , QN3107M6N , S70N08R , S70N08S , S70N08RN , S70N08RP .

History: IPA80R1K2P7

 

 
Back to Top

 


 
.