AP3N9R5H - описание и поиск аналогов

 

AP3N9R5H. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP3N9R5H

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 22.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 37.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 155 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для AP3N9R5H

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP3N9R5H даташит

 ..1. Size:382K  1
 ap3n9r5h.pdf pdf_icon

AP3N9R5H

AP3N9R5H Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D 100% Rg & UIS Test D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 9.5m Fast Switching Characteristic ID 37.8A G G RoHS Compliant & Halogen-Free S S Description AP4604 series arefrom Advanced Power innovated design AP3N9R5 seriesare fromAdvanced Power innovated

Другие MOSFET... HY1808AB , HY1808APS , HY1808APM , MDP1991 , NCE8580 , SRC60R090B , AONY36352 , HM25P06D , IRF1407 , EMB04N03H , HY3215W , KPS8N65F , QN3107M6N , S70N08R , S70N08S , S70N08RN , S70N08RP .

History: HM100N15A

 

 

 

 

↑ Back to Top
.