Справочник MOSFET. HY3215W

 

HY3215W Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HY3215W
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 349 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 130 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 480 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для HY3215W

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HY3215W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1565K  1
 hy3215w.pdf pdf_icon

HY3215W

HY3215WN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Pin Description 150V/130ARDS(ON)=11.5m(typ.)@VGS =10V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen Free and Green Devices AvailableS(RoHS Compliant)DGTO-247A-3LApplications Brushless Motor Drive Electric Power SteeringN Channel MOSFETOrdering and Marking InformationPackage CodeWW : T

 8.1. Size:968K  hymexa
 hy3215p hy3215m hy3215b hy3215ps hy3215pm.pdf pdf_icon

HY3215W

HY3215P/M/B/PS/PMN-Channel Enhancement Mode MOSFETPin DescriptionFeatures 150V/120ARDS(ON)= 12 m(typ.) @ VGS=10VSDGSD 100% avalanche tested GSDG Reliable and RuggedTO-220FB-3L TO-220FB-3S TO-263-2L Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)SDGSDGpplicationsTO-3PS-3L TO-3PM-3SASwitching application

 9.1. Size:4740K  1
 hy3210p hy3210m hy3210b hy3210ps hy3210pm.pdf pdf_icon

HY3215W

HY3210P/M/B/PS/PMN-Channel Enhancement Mode MOSFETPin DescriptionF eatures 100V/120ARDS(ON)= 6.8 m (typ.) @ VGS=10VS DS100% avalanche testedD GGSD Reliable and RuggedG TO-220FB-3L TO-220FB-3MTO-220FB-3L TO-220FB-3MTO-263-2LTO-263-2L Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)SDGSDGpplicationsATO-3PS-3L TO-3PS-3MTO-3PS-

 9.2. Size:4740K  hymexa
 hy3210p hy3210m hy3210b hy3210ps hy3210pm.pdf pdf_icon

HY3215W

HY3210P/M/B/PS/PMN-Channel Enhancement Mode MOSFETPin DescriptionF eatures 100V/120ARDS(ON)= 6.8 m (typ.) @ VGS=10VS DS100% avalanche testedD GGSD Reliable and RuggedG TO-220FB-3L TO-220FB-3MTO-220FB-3L TO-220FB-3MTO-263-2LTO-263-2L Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)SDGSDGpplicationsATO-3PS-3L TO-3PS-3MTO-3PS-

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... HY1808APM , MDP1991 , NCE8580 , SRC60R090B , AONY36352 , HM25P06D , AP3N9R5H , EMB04N03H , STP80NF70 , KPS8N65F , QN3107M6N , S70N08R , S70N08S , S70N08RN , S70N08RP , STP200N3LL , BSS84KR .

History: IPI111N15N3 | NTZD3155CT2G

 

 
Back to Top

 


 
.