Справочник MOSFET. HM1060E

 

HM1060E MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HM1060E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 600 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 120 Ohm
   Тип корпуса: SOT23

 Аналог (замена) для HM1060E

 

 

HM1060E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:364K  cn hmsemi
 hm1060e.pdf

HM1060E HM1060E

Depletion-Mode Power MOSFET General Features ESD improved Capability BVDSX RDS(ON) (Max.) IDSS,min Depletion Mode (Normally On) Proprietary Advanced Planar Technology 600V 120 100mA Rugged Polysilicon Gate Cell Structure Fast Switching Speed RoHS Compliant

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top