FDMA507PZ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: FDMA507PZ
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.4 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.5 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 30 nC
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm
Тип корпуса: MICROFET
Аналог (замена) для FDMA507PZ
FDMA507PZ Datasheet (PDF)
fdma507pz.pdf

May 2010FDMA507PZSingle P-Channel PowerTrench MOSFET-20 V, -7.8 A, 24 mFeatures General DescriptionThis device is designed specifically for battery charge or load Max rDS(on) = 24 m at VGS = -5 V, ID = -7.8 Aswitching in cellular handset and other ultraportable applications. Max rDS(on) = 25 m at VGS = -4.5 V, ID = -7 AIt features a MOSFET with low on-stade resist
fdma520pz.pdf

April 2009FDMA520PZtmSingle P-Channel PowerTrench MOSFET 20V, 7.3A, 30mFeatures General Description Max rDS(on) = 30m at VGS = 4.5V, ID = 7.3AThis device is designed specifically for battery charge or load switching in cellular handset and other ultraportable applications. Max rDS(on) = 53m at VGS = 2.5V, ID = 5.5AIt features a MOSFET with low o
fdma530pz.pdf

June 2011tmFDMA530PZSingle P-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 6.8A, 35mFeatures General Description Max rDS(on) = 35m at VGS = 10V, ID = 6.8AThis device is designed specifically for battery charge or load switching in cellular handset and other ultraportable Max rDS(on) = 65m at VGS = 4.5V, ID = 5.0Aapplications . It features a MOSFET with low on-st
fdma510pz.pdf

April 2009FDMA510PZtmSingle P-Channel PowerTrench MOSFET 20V, 7.8A, 30mFeatures General Description Max rDS(on) = 30m at VGS = 4.5V, ID = 7.8AThis device is designed specifically for battery charge or load switching in cellular handset and other ultraportable applications. Max rDS(on) = 37m at VGS = 2.5V, ID = 6.6AIt features a MOSFET with low o
Другие MOSFET... FDMA291P , FDMA3023PZ , FDMA3028N , STS3401A , FDMA410NZ , FDMA420NZ , FDMA430NZ , STS3401 , IRFB3607 , FDMA510PZ , FDMA520PZ , FDMA530PZ , FDMA6023PZT , FDMA7630 , STS3400 , FDMA7632 , STS3116E .
History: FDC6333C | 2N6788JANTXV | STD10N10LT4
History: FDC6333C | 2N6788JANTXV | STD10N10LT4



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMPF8N60BJ | JMPF840BJ | JMPF7N65BJ | JMPF630BJ | JMPF5N50BJ | JMPF4N65BJ | JMPF4N60BJ | JMPF25N50BJ | JMPF20N65BJ | JMPF20N60BJ | JMSL0303TU | JMSL0303TG | JMSL0303AU | JMSL0303AK | JMSL0303AG | JMSL0315AK
Popular searches
k3568 | 2sc1344 | cs840f | 2n3053 equivalent | 2n3569 | 2sd667 | 2sc1111 | bc239 transistor equivalent