Справочник MOSFET. HM15N02Q

 

HM15N02Q Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HM15N02Q
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 15 nC
   trⓘ - Время нарастания: 9.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 162 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HM15N02Q Datasheet (PDF)

 ..1. Size:629K  cn hmsemi
hm15n02q.pdfpdf_icon

HM15N02Q

HM N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =20V,ID =15A RDS(ON)

 9.1. Size:276K  philips
phm15nq20t.pdfpdf_icon

HM15N02Q

PHM15NQ20TTrenchMOS standard level FETRev. 03 11 September 2003 Product dataM3D8791. Product profile1.1 DescriptionN-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package usingTrenchMOS technology.1.2 Features SOT96 (SO-8) footprint compatible Low thermal resistance Surface mounted package Low profile.1.3 Applications DC-to-DC primary side Porta

 9.2. Size:779K  cn hmsemi
hm15n10d.pdfpdf_icon

HM15N02Q

HM15N10D N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM15N10D uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS = 100V,ID =15A RDS(ON)

 9.3. Size:500K  cn hmsemi
hm15n50 hm15n50f.pdfpdf_icon

HM15N02Q

HM15N50/HM15N50FHM15N50/HM15N50F500V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using SL semis 15.0A, 500V, RDS(on) = 0.42 @VGS = 10 Vadvanced planar stripe DMOS technology. Low gate charge ( typical 45nC)This advanced technology has been espe cially tailored to Fast s witchingminimize o n-state r esistance, pr ovide superior switc

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: 2SK3541VGP

 

 
Back to Top

 


 
.