HM17N10K - описание и поиск аналогов

 

HM17N10K. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HM17N10K

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 55 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9.3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для HM17N10K

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM17N10K даташит

 ..1. Size:508K  cn hmsemi
 hm17n10k.pdf pdf_icon

HM17N10K

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =100V,ID =17A RDS(ON)

Другие MOSFET... HM1607 , HM1607D , HM16N02D , HM16N50 , HM16N50F , HM16N60F , HM16N65F , HM16P12D , IRFP260 , HM180N02 , HM180N02D , HM180N02K , HM18DN03Q , HM18N03D , HM18N40 , HM18N40A , HM18N40F .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.