Справочник MOSFET. HM17N10K

 

HM17N10K Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HM17N10K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 55 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для HM17N10K

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM17N10K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:508K  cn hmsemi
 hm17n10k.pdf pdf_icon

HM17N10K

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =100V,ID =17A RDS(ON)

Другие MOSFET... HM1607 , HM1607D , HM16N02D , HM16N50 , HM16N50F , HM16N60F , HM16N65F , HM16P12D , 8205A , HM180N02 , HM180N02D , HM180N02K , HM18DN03Q , HM18N03D , HM18N40 , HM18N40A , HM18N40F .

History: RFP25N05L | AP9435GP-HF | TPB70R950C | NTMFS4939NT1G | RS1G120MN | CS10N60A8HD | FDP8N50NZU

 

 
Back to Top

 


 
.