Справочник MOSFET. HM1P15MR

 

HM1P15MR MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HM1P15MR
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.1 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 150 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 1 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 20 nC
   Время нарастания (tr): 32 ns
   Выходная емкость (Cd): 48 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.9 Ohm
   Тип корпуса: SOT23

 Аналог (замена) для HM1P15MR

 

 

HM1P15MR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:463K  cn hmsemi
 hm1p15mr.pdf

HM1P15MR HM1P15MR

HM1P15MR Power MOSFET Datasheet P-Channel Enhancement Mode MOSFET FEATURES APPLICATIONS Battery Charge RDSON

 8.1. Size:370K  cn hmsemi
 hm1p15pr.pdf

HM1P15MR HM1P15MR

HM1P15PR Power MOSFET Datasheet P-Channel Enhancement Mode MOSFET FEATURES APPLICATIONS Battery Charge RDSON

 9.1. Size:1001K  cn hmsemi
 hm1p10mr.pdf

HM1P15MR HM1P15MR

HM1P10MR-100V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The HM1P10MR uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = -100V I =-0.9 A DS DR

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top