Справочник MOSFET. HM20N06KA

 

HM20N06KA MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HM20N06KA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 45 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 20 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 25 nC
   Время нарастания (tr): 2.6 ns
   Выходная емкость (Cd): 60 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.035 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для HM20N06KA

 

 

HM20N06KA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:544K  cn hmsemi
hm20n06ka.pdf

HM20N06KA HM20N06KA

HM20N06KAN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM20N06KA uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =60V,ID =20A RDS(ON)

 7.1. Size:97K  chenmko
chm20n06pagp.pdf

HM20N06KA HM20N06KA

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM20N06PAGPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 60 Volts CURRENT 20 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.D-PAK(TO-252)FEATURE* Small package. (TO-252)* Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). .094 (2.40).280 (7.10)* High power

 7.2. Size:655K  cn hmsemi
hm20n06.pdf

HM20N06KA HM20N06KA

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =60V,ID =20A RDS(ON)

 7.3. Size:565K  cn hmsemi
hm20n06ia.pdf

HM20N06KA HM20N06KA

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =60V,ID =20A Schematic diagram RDS(ON)

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top