Справочник MOSFET. HM2301BKR

 

HM2301BKR MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HM2301BKR
   Маркировка: 2301
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 6 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.8 A
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 2.8 nC
   trⓘ - Время нарастания: 24.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 18.5 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.48 Ohm
   Тип корпуса: SOT323

 Аналог (замена) для HM2301BKR

 

 

HM2301BKR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1133K  cn hmsemi
 hm2301bkr.pdf

HM2301BKR HM2301BKR

HM2301BKR P-Channel 20V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The HM2301BKR is the P-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)= 0.48 @VGS=-4.5V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS RDS(ON)= 0.67 @VGS=-2.5V trench technology. This high density process is especially tailored to RDS(ON)= 0.95 @VGS=-1.8V minimize on-state resist

 7.1. Size:1387K  cn hmsemi
 hm2301bsr.pdf

HM2301BKR HM2301BKR

HM2301BSR P-Channel 20V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The HM2301BSR is the P-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)= 0.48 @VGS=-4.5V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS RDS(ON)= 0.67 @VGS=-2.5V trench technology. This high density process is especially tailored to RDS(ON)= 0.95 @VGS=-1.8V minimize on-state resist

 7.2. Size:803K  cn hmsemi
 hm2301b.pdf

HM2301BKR HM2301BKR

HM2301BP-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description DThe HM2301B uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate Gvoltages as low as 1.8V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. SGeneral Features Schematic diagram VDS = -20V,ID = -2.5A RDS(ON)

 7.3. Size:273K  cn hmsemi
 hm2301bjr.pdf

HM2301BKR HM2301BKR

HM2301BJR P-Channel MOSFET Description The MOSFET provide the best combination of fast switching, D3 low on-resistance and cost-effectiveness. MOSFET Product Summary V (V) R ( ) I (mA) DS DS(on) D0.45@ V =-4.5V GSG1 -20 0.62@ VGS=-2.5V -800 0.86@ V =-1.8V GSS2Absolute maximum rating@25 Parameter Symbol Value Units Drain-Source Voltage

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top