HM2309AL - описание и поиск аналогов

 

HM2309AL. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HM2309AL

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для HM2309AL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM2309AL даташит

 ..1. Size:465K  cn hmsemi
hm2309al.pdfpdf_icon

HM2309AL

HM2309AL H&M Semi P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM2309AL uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge .This device is well suited for use as a load switch or in PWM applications. General Features Schematic diagram VDS =-60V,ID =-4.6A RDS(ON)

 7.1. Size:593K  cn hmsemi
hm2309apr.pdfpdf_icon

HM2309AL

HM2309APR P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM2309APR uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge .This device is well suited for use as a load switch or in PWM applications. General Features Schematic diagram VDS =-60V,ID =-5A RDS(ON)

 8.1. Size:873K  cn hmsemi
hm2309.pdfpdf_icon

HM2309AL

HM2309 P-Channel 60V(D-S) GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON) 215m @VGS=-10V The HM2309 is the P-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 260m @VGS=-4.5V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS Super high density cell design for extremely low RDS(ON) trench technology. This high density process is especially tailored to Ex

 8.2. Size:1022K  cn hmsemi
hm2309b.pdfpdf_icon

HM2309AL

HM2309B P-Channel 60V(D-S) GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON) 188m @VGS=-10V The HM2309B is the P-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 266m @VGS=-4.5V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS Super high density cell design for extremely low RDS(ON) trench technology. This high density process is especially tailored to

Другие MOSFET... HM2302E , HM2302F , HM2302KR , HM2305 , HM2305B , HM2305D , HM2306 , HM2309 , IRF640 , HM2309APR , HM2309B , HM2309C , HM2309D , HM2309DR , HM2310B , HM2310C , HM2312 .

History: SI3900DV

 

 

 

 

↑ Back to Top
.