HM2309APR. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HM2309APR

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm

Тип корпуса: SOT89

Аналог (замена) для HM2309APR

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM2309APR даташит

 ..1. Size:593K  cn hmsemi
 hm2309apr.pdf pdf_icon

HM2309APR

HM2309APR P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM2309APR uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge .This device is well suited for use as a load switch or in PWM applications. General Features Schematic diagram VDS =-60V,ID =-5A RDS(ON)

 7.1. Size:465K  cn hmsemi
 hm2309al.pdf pdf_icon

HM2309APR

HM2309AL H&M Semi P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM2309AL uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge .This device is well suited for use as a load switch or in PWM applications. General Features Schematic diagram VDS =-60V,ID =-4.6A RDS(ON)

 8.1. Size:873K  cn hmsemi
 hm2309.pdf pdf_icon

HM2309APR

HM2309 P-Channel 60V(D-S) GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON) 215m @VGS=-10V The HM2309 is the P-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 260m @VGS=-4.5V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS Super high density cell design for extremely low RDS(ON) trench technology. This high density process is especially tailored to Ex

 8.2. Size:1022K  cn hmsemi
 hm2309b.pdf pdf_icon

HM2309APR

HM2309B P-Channel 60V(D-S) GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON) 188m @VGS=-10V The HM2309B is the P-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 266m @VGS=-4.5V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS Super high density cell design for extremely low RDS(ON) trench technology. This high density process is especially tailored to

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HM2302F, HM2302KR, HM2305, HM2305B, HM2305D, HM2306, HM2309, HM2309AL, IRF1404, HM2309B, HM2309C, HM2309D, HM2309DR, HM2310B, HM2310C, HM2312, HM2312B