HM24N50A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HM24N50A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 320 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 80.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 440 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm

Тип корпуса: TO3P

Аналог (замена) для HM24N50A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM24N50A даташит

 ..1. Size:2593K  cn hmsemi
 hm24n50a.pdf pdf_icon

HM24N50A

HM24N50A 500V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Maple semi s - 25A, 500V, RDS(on)typ. = 167m @VGS = 10 V advanced planar stripe DMOS technology. - Low gate charge ( typical 96nC) This advanced technology has been especially tailored - High ruggedness to minimize on-state resistance, provide superior switching - Fast switching performance

 9.1. Size:596K  cn hmsemi
 hm24n20ka.pdf pdf_icon

HM24N50A

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =200V,ID =24A RDS(ON)

 9.2. Size:520K  cn hmsemi
 hm24n20k.pdf pdf_icon

HM24N50A

HM24N20K N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DESCRIPTION The HM24N20K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. GENERAL FEATURES VDS =200V,ID =24A RDS(ON)

 9.3. Size:649K  cn hmsemi
 hm24n20.pdf pdf_icon

HM24N50A

HM24N20 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DESCRIPTION The HM24N20 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. GENERAL FEATURES VDS =200V,ID =24A RDS(ON)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HM2328, HM2333, HM2341, HM2341B, HM2369, HM24N20, HM24N20K, HM24N20KA, IRLB4132, HM25N03D, HM25N03Q, HM25N06D, HM25N06Q, HM25N08D, HM25N50, HM25P03D, HM25P03K