Справочник MOSFET. HM24N50A

 

HM24N50A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HM24N50A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 320 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 25 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 96 nC
   Время нарастания (tr): 80.5 ns
   Выходная емкость (Cd): 440 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.2 Ohm
   Тип корпуса: TO3P

 Аналог (замена) для HM24N50A

 

 

HM24N50A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2593K  cn hmsemi
hm24n50a.pdf

HM24N50A
HM24N50A

HM24N50A500V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using Maple semis - 25A, 500V, RDS(on)typ. = 167m@VGS = 10 Vadvanced planar stripe DMOS technology. - Low gate charge ( typical 96nC)This advanced technology has been especially tailored - High ruggednessto minimize on-state resistance, provide superior switching - Fast switchingperformance

 9.1. Size:596K  cn hmsemi
hm24n20ka.pdf

HM24N50A
HM24N50A

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =200V,ID =24A RDS(ON)

 9.2. Size:520K  cn hmsemi
hm24n20k.pdf

HM24N50A
HM24N50A

HM24N20K N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DESCRIPTION The HM24N20K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. GENERAL FEATURES VDS =200V,ID =24A RDS(ON)

 9.3. Size:649K  cn hmsemi
hm24n20.pdf

HM24N50A
HM24N50A

HM24N20 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DESCRIPTION The HM24N20 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. GENERAL FEATURES VDS =200V,ID =24A RDS(ON)

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top