HM2807D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HM2807D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 340 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для HM2807D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM2807D даташит

 ..1. Size:544K  cn hmsemi
 hm2807d.pdf pdf_icon

HM2807D

HM2807D N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DESCRIPTION The HM2807D uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. GENERAL FEATURES VDS = 100V,ID =100A RDS(ON)

 8.1. Size:505K  cn hmsemi
 hm2807.pdf pdf_icon

HM2807D

HM2807 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DESCRIPTION The HM2807 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. GENERAL FEATURES VDS = 100V,ID =100A RDS(ON)

 9.1. Size:1575K  cn hmsemi
 hm2809dr.pdf pdf_icon

HM2807D

 9.2. Size:1154K  cn hmsemi
 hm2800d.pdf pdf_icon

HM2807D

HM2800D N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM2800D uses advanced trench technology to provide D2 D1 excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a battery protection or in other switching application. G2 G1 S2 S1 General Features Schematic diagram VDS = 20V,ID = 5.0A RDS(O

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HM25P04K, HM25P15, HM25P15D, HM25P15K, HM26N18K, HM2800D, HM2803D, HM2807, STP80NF70, HM2809D, HM2809DR, HM2907, HM2N10, HM2N10B, HM2N10MR, HM2N15PR, HM2N15R