HM2N60. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HM2N60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 15 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.5 Ohm

Тип корпуса: TO220C

Аналог (замена) для HM2N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM2N60 даташит

 ..1. Size:822K  cn hmsemi
 hm2n60.pdf pdf_icon

HM2N60

N R N-CHANNEL MOSFET HM2N60 MAIN CHARACTERISTICS Package 2.0 A ID 600 V VDSS Rdson 4.5 @Vgs=10V 6.0 nC Qg APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge UPS

 9.1. Size:1563K  cn hmsemi
 hm2n65r.pdf pdf_icon

HM2N60

HM2N65R General Description VDSS 650 V HM2N65R the silicon N-channel Enhanced ID 2 A PD(TC=25 ) 30 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 7.8 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system miniaturization and

Другие IGBT... HM2N10MR, HM2N15PR, HM2N15R, HM2N20, HM2N20MR, HM2N20PR, HM2N20R, HM2N25, 18N50, HM2N65R, HM2N70, HM2N70R, HM2P10PR, HM2P10R, HM3018, HM3018JR, HM3018KR