Справочник MOSFET. HM2N60

 

HM2N60 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HM2N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 5.3 nC
   trⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 15 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.5 Ohm
   Тип корпуса: TO220C

 Аналог (замена) для HM2N60

 

 

HM2N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:822K  cn hmsemi
 hm2n60.pdf

HM2N60 HM2N60

N RN-CHANNEL MOSFET HM2N60 MAIN CHARACTERISTICS Package 2.0 A ID 600 V VDSS Rdson 4.5 @Vgs=10V6.0 nC Qg APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge UPS

 9.1. Size:1563K  cn hmsemi
 hm2n65r.pdf

HM2N60 HM2N60

HM2N65RGeneral Description VDSS 650 V HM2N65R the silicon N-channel Enhanced ID 2 A PD(TC=25) 30 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 7.8 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system miniaturization and

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: CEB60N10

 

 
Back to Top