HM3207BD - аналоги и даташиты транзистора

 

HM3207BD - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: HM3207BD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 310 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 70 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 190 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 914 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для HM3207BD

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM3207BD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:512K  cn hmsemi
 hm3207bd.pdf pdf_icon

HM3207BD

HM3207BDN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM3207BD uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in Automotive applications and a wide variety of other applications. General Features VDSS =70V,ID =180A Schematic diagram RDS(ON)

 7.1. Size:602K  cn hmsemi
 hm3207b.pdf pdf_icon

HM3207BD

HM3207BN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM3207B uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in Automotive applications and a wide variety of other applications. General Features VDSS =70V,ID =180A Schematic diagram RDS(ON)

 8.1. Size:379K  cn hmsemi
 hm3207d.pdf pdf_icon

HM3207BD

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in Automotive applications and a wide variety of other applications. General Features VDSS =75V,ID =210A Schematic diagram RDS(ON)

 8.2. Size:492K  cn hmsemi
 hm3207.pdf pdf_icon

HM3207BD

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in Automotive applications and a wide variety of other applications. General Features VDSS =75V,ID =210A Schematic diagram RDS(ON)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... HM30P10K , HM30P55 , HM30P55K , HM3205 , HM3205B , HM3205D , HM3207 , HM3207B , 5N50 , HM3207D , HM3207T , HM32N20 , HM32N20F , HM3305 , HM3305D , HM3306 , HM3307 .

History: IPI100N06S3L-04 | IPI020N06N | BF1206F

 

 
Back to Top

 


 
.