HM3413. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HM3413

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для HM3413

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM3413 даташит

 ..1. Size:613K  cn hmsemi
 hm3413.pdf pdf_icon

HM3413

HM3413 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DESCRIPTION D The HM3413 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate G voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. S GENERAL FEATURES Schematic diagram VDS = -20V,ID = -3A RDS(ON)

 0.1. Size:98K  chenmko
 chm3413kgp.pdf pdf_icon

HM3413

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHM3413KGP SURFACE MOUNT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 20 Volts CURRENT 3.5 Ampere APPLICATION * Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. SC-88A/SOT-353 FEATURE * Small flat package. (SC-88A ) * High density cell design for extremely low RDS(ON). * Rugged and reliable. (1) (5) * Hi

 0.2. Size:98K  chenmko
 chm3413sgp.pdf pdf_icon

HM3413

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHM3413SGP SURFACE MOUNT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 20 Volts CURRENT 3.5 Ampere APPLICATION * Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. SC-88/SOT-363 FEATURE * Small flat package. (SC-88 ) * High density cell design for extremely low RDS(ON). * Rugged and reliable. (6) (1) * Hig

 0.3. Size:537K  cn hmsemi
 hm3413b.pdf pdf_icon

HM3413

HM3413B P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DESCRIPTION D The HM3413B uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate G voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. S GENERAL FEATURES Schematic diagram VDS = -20V,ID = -3A RDS(ON)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HM3401, HM3401B, HM3401C, HM3401D, HM3401PR, HM3406B, HM3407A, HM3407B, IRFB4115, HM3413B, HM3414, HM3414B, HM3415E, HM3416B, HM3421, HM3421B, HM3422