Справочник MOSFET. HM35N03Q

 

HM35N03Q Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HM35N03Q
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 600 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3EP
 

 Аналог (замена) для HM35N03Q

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM35N03Q Datasheet (PDF)

 ..1. Size:384K  cn hmsemi
 hm35n03q.pdf pdf_icon

HM35N03Q

HM35N03QDescription The HM35N03Q uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =30V,ID =35A RDS(ON)

 7.1. Size:444K  cn hmsemi
 hm35n03d.pdf pdf_icon

HM35N03Q

HM35N03D N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM35N03D uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =30V,ID =35A RDS(ON)

Другие MOSFET... HM3415E , HM3416B , HM3421 , HM3421B , HM3422 , HM3422A , HM3426B , HM35N03D , IRF1010E , HM35P03 , HM35P03D , HM35P03K , HM35P04D , HM3710 , HM3710K , HM3800D , HM3808 .

History: IRFBF20SPBF | AP10N7R5H | 2SK1304 | AOSP62530 | PSMN018-100PSF | MTM2N85 | AP9962AGP-HF

 

 
Back to Top

 


 
.