HM35N03Q. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HM35N03Q

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 600 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm

Тип корпуса: DFN3X3EP

Аналог (замена) для HM35N03Q

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM35N03Q даташит

 ..1. Size:384K  cn hmsemi
 hm35n03q.pdf pdf_icon

HM35N03Q

HM35N03Q Description The HM35N03Q uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =30V,ID =35A RDS(ON)

 7.1. Size:444K  cn hmsemi
 hm35n03d.pdf pdf_icon

HM35N03Q

HM35N03D N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM35N03D uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =30V,ID =35A RDS(ON)

Другие IGBT... HM3415E, HM3416B, HM3421, HM3421B, HM3422, HM3422A, HM3426B, HM35N03D, IRF9540N, HM35P03, HM35P03D, HM35P03K, HM35P04D, HM3710, HM3710K, HM3800D, HM3808