Справочник MOSFET. HM35P03

 

HM35P03 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HM35P03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 65 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 30 nC
   trⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для HM35P03

 

 

HM35P03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1373K  cn hmsemi
 hm35p03.pdf

HM35P03 HM35P03

HM35P03P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DDESCRIPTION The HM35P03K uses advanced trench technology to provide Gexcellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. SSchematic diagram GENERAL FEATURES V = -30V,ID = -35A D SRDS(ON)

 0.1. Size:1209K  cn hmsemi
 hm35p03d.pdf

HM35P03 HM35P03

HM35P03DP-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DDESCRIPTION The HM35P03D uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate Gvoltages as low as 4.5V. SGENERAL FEATURES Schematic diagram V = -30V,ID = -35A D S RDS(ON)

 0.2. Size:1065K  cn hmsemi
 hm35p03k.pdf

HM35P03 HM35P03

HM35P03KP-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DDESCRIPTION The HM35P03K uses advanced trench technology to provide Gexcellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. SSchematic diagram GENERAL FEATURES V = -30V,ID = -35A D SRDS(ON)

 8.1. Size:826K  cn hmsemi
 hm35p04d.pdf

HM35P03 HM35P03

HM35P04DP-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM35P04D uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge .This device is well suited for high current load applications. General Features VDS =-40V,ID =-35A RDS(ON)

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top