HM3N150A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HM3N150A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16.7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 104 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8 Ohm

Тип корпуса: TO3PH

Аналог (замена) для HM3N150A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM3N150A даташит

 ..1. Size:358K  cn hmsemi
 hm3n150a.pdf pdf_icon

HM3N150A

General Description VDSS 1500 V HM3N150A the silicon N-channel Enhanced ID 3 A PD(TC=25 ) TBD W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 5.0 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system miniaturizatio

 7.1. Size:422K  cn hmsemi
 hm3n150f.pdf pdf_icon

HM3N150A

HM3N150A General Description VDSS 1500 V , the silicon N-channel Enhanced I 3 A D PD(TC=25 ) TBD W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 5.0 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system miniaturizat

 9.1. Size:425K  cn hmsemi
 hm3n120f.pdf pdf_icon

HM3N150A

HM3N120F General Description VDSS 1200 V HM3N120F , the silicon N-channel Enhanced ID 3 A PD(TC=25 ) 30 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 5.1 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system miniaturizatio

 9.2. Size:941K  cn hmsemi
 hm3n10mr.pdf pdf_icon

HM3N150A

HM3N10MR N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM3N10MR uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS = 100V,ID = 3A Schematic diagram RDS(ON)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HM3710, HM3710K, HM3800D, HM3808, HM3N10MR, HM3N10PR, HM3N120A, HM3N120F, 5N65, HM3N150F, HM3N25I, HM3N30PR, HM3N40PR, HM3N40R, HM3N70, HM3N80, HM3N90F