Справочник MOSFET. HM3N25I

 

HM3N25I Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HM3N25I
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 31 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 33 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для HM3N25I

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM3N25I Datasheet (PDF)

 ..1. Size:887K  cn hmsemi
 hm3n25i.pdf pdf_icon

HM3N25I

HM3N25ISilicon N-Channel Power MOSFETGeneral Description VDSS 250 V HM3N25I, the silicon N-channel Enhanced ID 3.0 A PD(TC=25) 30 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON) 1.0 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit

Другие MOSFET... HM3800D , HM3808 , HM3N10MR , HM3N10PR , HM3N120A , HM3N120F , HM3N150A , HM3N150F , AON7506 , HM3N30PR , HM3N40PR , HM3N40R , HM3N70 , HM3N80 , HM3N90F , HM3N90I , HM3P10MR .

History: STS8213 | WM03DN06D | STP21N90K5 | 2SK3814 | APM4015PU | STW13NB60

 

 
Back to Top

 


 
.