HM3N25I. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HM3N25I

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 8 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 31 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 33 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для HM3N25I

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM3N25I даташит

 ..1. Size:887K  cn hmsemi
 hm3n25i.pdf pdf_icon

HM3N25I

HM3N25I Silicon N-Channel Power MOSFET General Description VDSS 250 V HM3N25I, the silicon N-channel Enhanced ID 3.0 A PD(TC=25 ) 30 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON) 1.0 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit

Другие IGBT... HM3800D, HM3808, HM3N10MR, HM3N10PR, HM3N120A, HM3N120F, HM3N150A, HM3N150F, IRFB3607, HM3N30PR, HM3N40PR, HM3N40R, HM3N70, HM3N80, HM3N90F, HM3N90I, HM3P10MR