Справочник MOSFET. HM3N90I

 

HM3N90I Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HM3N90I
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 32 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 44 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5.5 Ohm
   Тип корпуса: TO251
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HM3N90I Datasheet (PDF)

 ..1. Size:914K  cn hmsemi
 hm3n90i.pdf pdf_icon

HM3N90I

HM3N90ISilicon N-Channel Power MOSFET General Description VDSS 900 VHM3N90I, the silicon N-channel EnhancedID 3 APD(TC=25) 75 WVDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 5 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for

 8.1. Size:951K  cn hmsemi
 hm3n90f.pdf pdf_icon

HM3N90I

HM3N90FSilicon N-Channel Power MOSFET General Description VDSS 900 V HM3N90F, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFET, ID 3 A PD(TC=25) 30 W is obtained by the self-aligned planar Technology which reduce RDS(ON)Typ 4.7 the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: CET04N10 | H5N2004DS

 

 
Back to Top

 


 
.