HM4030D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HM4030D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 118 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 29 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 916 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для HM4030D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM4030D даташит

 ..1. Size:844K  cn hmsemi
 hm4030d.pdf pdf_icon

HM4030D

HM4030 N-Channel Trench Power MOSFET General Description The HM4030D is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Rugged EAS capability and ultra low R is suitable for PWM, load DS(ON) switching especially for E-Bike controller applications. Features V =100V; I =118A@ V =10V; DS D GS TO-263-2L top view R

 8.1. Size:404K  cn hmsemi
 hm4030.pdf pdf_icon

HM4030D

N-Channel Trench Power MOSFET General Description General Description General Description General Description The is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Rugged EAS capability and ultra low R is suitable for PWM, load DS(ON) switching especially for E-Bike controller applications. Features Features Features Features

 9.1. Size:253K  htsemi
 hm4033.pdf pdf_icon

HM4030D

HM4033 TRANSISTOR (PNP) SOT-89-3L FEATURES 1. BASE High Current General Purpose Amplifier Applications 2. COLLECTOR 3. EMITTER MARKING H4033 MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage -80 V VCEO Collector-Emitter Voltage -80 V VEBO Emitter-Base Voltage -5 V IC Collector Current -1 A PC Collector Powe

 9.2. Size:36K  hsmc
 hm4033.pdf pdf_icon

HM4030D

Spec. No. HE9523 HI-SINCERITY Issued Date 1997.04.17 Revised Date 2005.06.30 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/4 HM4033 PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The HM4033 is designed for high current general purpose amplifier applications. SOT-89 Absolute Maximum Ratings Maximum Temperatures Storage Temperature .......................................................

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HM3N40PR, HM3N40R, HM3N70, HM3N80, HM3N90F, HM3N90I, HM3P10MR, HM4030, BS170, HM40N04D, HM40N04K, HM40N06D, HM40N10, HM40N10K, HM40N10KA, HM40N15K, HM40N15KA