HM4110T - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: HM4110T
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 385 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 210 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1061 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для HM4110T
HM4110T Datasheet (PDF)
hm4110t.pdf

HM4110TN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM4110T uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of other applications. General Features VDSS =100V,ID =210A RDS(ON)
hm4110.pdf

100VDS25VGS170A(ID) N-Channel Enha ncement Mode MOSFET Features Pin Description VDSS= 0VVGSS=25VID=1 0A RDS(ON)=5 m(max.)@VGS=10V Low Dense Cell Design Reliable and Rugged Advanced trench process technology Applications Synchronous Rectification Power Manage
Другие MOSFET... HM40N10KA , HM40N15K , HM40N15KA , HM40N20 , HM40N20D , HM40P04K , HM40P06K , HM4110 , IRFZ24N , HM4240 , HM4260 , HM4264 , HM4264B , HM4302 , HM4302B , 2SK68A , CRJF390N65GC .
History: IPB08CN10NG | DMT4011LFG
History: IPB08CN10NG | DMT4011LFG



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP100P02NF | AP100N08D | AP100N04NF | AP100N04D | AP100N03Y | AP100N03T | AP100N03P | AP100N03D | AP100N03AD | AP01P10I | APJ14N65T | APJ14N65P | APJ14N65F | APJ14N65D | APN9N50D | AP65R190
Popular searches
d718 transistor | irfp250n datasheet | 2n5550 | 2sd1047 | 2n3035 | ksc1815 | bu406 | j201 datasheet