Аналоги HM4110T. Основные параметры
Наименование производителя: HM4110T
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 385 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 210 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1061 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для HM4110T
HM4110T даташит
hm4110t.pdf
HM4110T N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM4110T uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of other applications. General Features VDSS =100V,ID =210A RDS(ON)
hm4110.pdf
100VDS 25VGS 170A(ID) N-Channel Enha ncement Mode MOSFET Features Pin Description VDSS= 0V VGSS= 25V ID=1 0A RDS(ON)=5 m (max.)@VGS=10V Low Dense Cell Design Reliable and Rugged Advanced trench process technology Applications Synchronous Rectification Power Manage
Другие MOSFET... HM40N10KA , HM40N15K , HM40N15KA , HM40N20 , HM40N20D , HM40P04K , HM40P06K , HM4110 , STF13NM60N , HM4240 , HM4260 , HM4264 , HM4264B , HM4302 , HM4302B , 2SK68A , CRJF390N65GC .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: APG045N85 | APG042N01D | APG038N01G | APG035N04Q | APG032N04G | APG028N10 | APG024N04G | APG022N06G | APG020N01GD | APG013N04G | APG011N04G | APG011N03G | APC65R190FM | APC60R030WMF | AP9N20K | AP9565K
Popular searches
d718 transistor | irfp250n datasheet | 2n5550 | 2sd1047 | 2n3035 | ksc1815 | bu406 | j201 datasheet



