Справочник MOSFET. HM4110T

 

HM4110T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HM4110T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 385 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 210 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 45 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1061 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
   Тип корпуса: TO247
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HM4110T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:556K  cn hmsemi
 hm4110t.pdf pdf_icon

HM4110T

HM4110TN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM4110T uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of other applications. General Features VDSS =100V,ID =210A RDS(ON)

 8.1. Size:732K  cn hmsemi
 hm4110.pdf pdf_icon

HM4110T

100VDS25VGS170A(ID) N-Channel Enha ncement Mode MOSFET Features Pin Description VDSS= 0VVGSS=25VID=1 0A RDS(ON)=5 m(max.)@VGS=10V Low Dense Cell Design Reliable and Rugged Advanced trench process technology Applications Synchronous Rectification Power Manage

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: FDB045AN08A0 | VSE002N03MS-G | DMP6185SK3 | 2SK3430-ZJ | CS840 | NTLUS3A40PZTBG | R6535KNZ1

 

 
Back to Top

 


 
.