HM4110T datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HM4110T

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 385 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 210 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1061 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для HM4110T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM4110T даташит

 ..1. Size:556K  cn hmsemi
 hm4110t.pdf pdf_icon

HM4110T

HM4110T N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM4110T uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of other applications. General Features VDSS =100V,ID =210A RDS(ON)

 8.1. Size:732K  cn hmsemi
 hm4110.pdf pdf_icon

HM4110T

100VDS 25VGS 170A(ID) N-Channel Enha ncement Mode MOSFET Features Pin Description VDSS= 0V VGSS= 25V ID=1 0A RDS(ON)=5 m (max.)@VGS=10V Low Dense Cell Design Reliable and Rugged Advanced trench process technology Applications Synchronous Rectification Power Manage

Другие IGBT... HM40N10KA, HM40N15K, HM40N15KA, HM40N20, HM40N20D, HM40P04K, HM40P06K, HM4110, STF13NM60N, HM4240, HM4260, HM4264, HM4264B, HM4302, HM4302B, 2SK68A, CRJF390N65GC