Справочник MOSFET. HM4302

 

HM4302 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HM4302
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 27 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 460 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HM4302 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:447K  cn hmsemi
hm4302.pdfpdf_icon

HM4302

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DESCRIPTION The uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. GENERAL FEATURES VDS =30V,ID = A RDS(ON)

 0.1. Size:667K  cn hmsemi
hm4302b.pdfpdf_icon

HM4302

HM4302BN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DESCRIPTION The HM4302B uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. GENERAL FEATURES VDS =30V,ID =25A RDS(ON)

 9.1. Size:101K  chenmko
chm4301jgp.pdfpdf_icon

HM4302

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM4301JGPSURFACE MOUNT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 40 Volts CURRENT 20 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SO-8FEATURE* Small flat package. ( SO-8 )* Super high density cell design for extremely low RDS(ON). ( )4.06 0.160( )3.70 0.146* High pow

 9.2. Size:102K  chenmko
chm4301pagp.pdfpdf_icon

HM4302

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM4301PAGPSURFACE MOUNT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 40 Volts CURRENT 20 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.D-PAK(TO-252)FEATURE* Small flat package. ( TO-252 )* Super high density cell design for extremely low RDS(ON). .094 (2.40).280 (7.10)* Hi

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: FQD7N10TM | BSC032N03SG | NCE65TF068T | BF964S | BF1101R | NP50N04YUK | RJK6026DPE

 

 
Back to Top

 


 
.