Справочник MOSFET. HM4302

 

HM4302 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HM4302
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 27 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 460 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для HM4302

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM4302 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:447K  cn hmsemi
hm4302.pdfpdf_icon

HM4302

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DESCRIPTION The uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. GENERAL FEATURES VDS =30V,ID = A RDS(ON)

 0.1. Size:667K  cn hmsemi
hm4302b.pdfpdf_icon

HM4302

HM4302BN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DESCRIPTION The HM4302B uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. GENERAL FEATURES VDS =30V,ID =25A RDS(ON)

 9.1. Size:101K  chenmko
chm4301jgp.pdfpdf_icon

HM4302

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM4301JGPSURFACE MOUNT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 40 Volts CURRENT 20 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SO-8FEATURE* Small flat package. ( SO-8 )* Super high density cell design for extremely low RDS(ON). ( )4.06 0.160( )3.70 0.146* High pow

 9.2. Size:102K  chenmko
chm4301pagp.pdfpdf_icon

HM4302

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM4301PAGPSURFACE MOUNT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 40 Volts CURRENT 20 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.D-PAK(TO-252)FEATURE* Small flat package. ( TO-252 )* Super high density cell design for extremely low RDS(ON). .094 (2.40).280 (7.10)* Hi

Другие MOSFET... HM40P04K , HM40P06K , HM4110 , HM4110T , HM4240 , HM4260 , HM4264 , HM4264B , IRF520 , HM4302B , 2SK68A , CRJF390N65GC , HCA60R150T , MDP10N027TH , NVHL055N60S5F , OSG60R074HZF , OSG60R074FZF .

History: DG4N60 | AOCA72114 | HUF76633P3F085 | J177 | STP13N60DM2 | TSF5N60M | SSG4934N

 

 
Back to Top

 


 
.