Справочник MOSFET. CRJF390N65GC

 

CRJF390N65GC Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CRJF390N65GC
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 37 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 32 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.45 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для CRJF390N65GC

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CRJF390N65GC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:389K  1
 crjf390n65gc.pdf pdf_icon

CRJF390N65GC

CRJF390N65GC() SJMOS N-MOSFET 650V, 0.39, 11AFeatures Product Summary CRM(CQ) Super_Junction technology Much lower Ron*A performance for On-state efficiency VDS 650VRDS(on)_typ Much lower FOM for fast switching efficiency 0.39ID11AApplications LED/LCD/PDP TV and monitor Lighting100% Avalanche Tested100% Avalanche Tested

Другие MOSFET... HM4110T , HM4240 , HM4260 , HM4264 , HM4264B , HM4302 , HM4302B , 2SK68A , IRFZ48N , HCA60R150T , MDP10N027TH , NVHL055N60S5F , OSG60R074HZF , OSG60R074FZF , SRC60R078BTF , SRC60R078BT , SRC60R078BS2 .

History: SFD025N30C2 | STP18N60DM2 | KHB8D8N25F | STD120N4LF6 | SUN830I | CPC3714

 

 
Back to Top

 


 
.