CRJF390N65GC - описание и поиск аналогов

 

CRJF390N65GC. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CRJF390N65GC

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 37 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 32 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.45 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для CRJF390N65GC

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CRJF390N65GC даташит

 ..1. Size:389K  1
 crjf390n65gc.pdf pdf_icon

CRJF390N65GC

CRJF390N65GC ( ) SJMOS N-MOSFET 650V, 0.39 , 11A Features Product Summary CRM(CQ) Super_Junction technology Much lower Ron*A performance for On-state efficiency VDS 650V RDS(on)_typ Much lower FOM for fast switching efficiency 0.39 ID 11A Applications LED/LCD/PDP TV and monitor Lighting 100% Avalanche Tested 100% Avalanche Tested

Другие MOSFET... HM4110T , HM4240 , HM4260 , HM4264 , HM4264B , HM4302 , HM4302B , 2SK68A , STP65NF06 , HCA60R150T , MDP10N027TH , NVHL055N60S5F , OSG60R074HZF , OSG60R074FZF , SRC60R078BTF , SRC60R078BT , SRC60R078BS2 .

History: HIRF840F | FBM75N68B

 

 

 

 

↑ Back to Top
.