HYG042N10NS1B - описание и поиск аналогов

 

HYG042N10NS1B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HYG042N10NS1B

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 160 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 97 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 2506 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0042 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для HYG042N10NS1B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HYG042N10NS1B даташит

 ..1. Size:863K  1
 hyg042n10ns1p hyg042n10ns1b.pdf pdf_icon

HYG042N10NS1B

HYG042N10NS1P/B N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 100V/160A RDS(ON)=3.5m (typ.) @ VGS = 10V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Lead-Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) TO-220FB-3L TO-263-2L Applications Power Switching application DC-DC Converters N-Channel MOSFET Ordering and Marking Information

 9.1. Size:1340K  1
 hyg045n03la1c1.pdf pdf_icon

HYG042N10NS1B

HYG045N03LA1C1 N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 30V/50A RDS(ON)=3.9 m (typ.) @VGS = 10V RDS(ON)=5.2 m (typ.) @VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen Free and Green Devices Available Pin1 (RoHS Compliant) Applications Switching Application Battery Protection Single N-Channel MOSFET Ordering and Marking Info

 9.2. Size:1346K  1
 hyg045n03la1c2.pdf pdf_icon

HYG042N10NS1B

HYG045N03LA1C2 Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 30V/78A D D D D D D D D RDS(ON)= 3.6 m (typ.) @VGS = 10V RDS(ON)= 4.8 m (typ.) @VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices Available G S S S S S S G PDFN8L(5x6) Applications Load Switch Lithium battery protect board Single N-Channel MOSFET O

 9.3. Size:1404K  1
 hyg043n10ns2p hyg043n10ns2b.pdf pdf_icon

HYG042N10NS1B

Microelectronics HYG043N10NS2P/B N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 100V/164A RDS(ON)= 3.5 m (typ.) @VGS = 10V 100% Avalanche Tested 100% DVDS G D S Reliable and Rugged D S G Halogen Free and Green Devices Available TO-220FB-3L TO-263-2L (RoHS Compliant) Applications Battery Management System Controller Sin

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... OSG60R074HZF , OSG60R074FZF , SRC60R078BTF , SRC60R078BT , SRC60R078BS2 , STK0825F , CS25N50AKR , HYG042N10NS1P , RU7088R , SUP75N06-08 , SUB75N06-08 , HM4354 , HM4402A , HM4402B , HM4402C , HM4402E , HM4406A .

History: STM9930A

 

 

 

 

↑ Back to Top
.