Справочник MOSFET. HYG042N10NS1B

 

HYG042N10NS1B MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HYG042N10NS1B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 160 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 119 nC
   trⓘ - Время нарастания: 97 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2506 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0042 Ohm
   Тип корпуса: TO263

 Аналог (замена) для HYG042N10NS1B

 

 

HYG042N10NS1B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:863K  1
 hyg042n10ns1p hyg042n10ns1b.pdf

HYG042N10NS1B HYG042N10NS1B

HYG042N10NS1P/B N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 100V/160A RDS(ON)=3.5m(typ.) @ VGS = 10V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Lead-Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) TO-220FB-3L TO-263-2L Applications Power Switching application DC-DC Converters N-Channel MOSFET Ordering and Marking Information

 9.1. Size:1340K  1
 hyg045n03la1c1.pdf

HYG042N10NS1B HYG042N10NS1B

HYG045N03LA1C1N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Pin Description 30V/50ARDS(ON)=3.9 m (typ.) @VGS = 10VRDS(ON)=5.2 m (typ.) @VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen Free and Green Devices AvailablePin1(RoHS Compliant)Applications Switching Application Battery ProtectionSingle N-Channel MOSFETOrdering and Marking Info

 9.2. Size:1346K  1
 hyg045n03la1c2.pdf

HYG042N10NS1B HYG042N10NS1B

HYG045N03LA1C2Single N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Pin Description 30V/78AD D D DD D D DRDS(ON)= 3.6 m(typ.) @VGS = 10VRDS(ON)= 4.8 m(typ.) @VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices AvailableG S S SS S S GPDFN8L(5x6)Applications Load Switch Lithium battery protect boardSingle N-Channel MOSFETO

 9.3. Size:1346K  hymexa
 hyg045n03la1c2.pdf

HYG042N10NS1B HYG042N10NS1B

HYG045N03LA1C2Single N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Pin Description 30V/78AD D D DD D D DRDS(ON)= 3.6 m(typ.) @VGS = 10VRDS(ON)= 4.8 m(typ.) @VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices AvailableG S S SS S S GPDFN8L(5x6)Applications Load Switch Lithium battery protect boardSingle N-Channel MOSFETO

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top