SUB75N06-08 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SUB75N06-08
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 187 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 75 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 85 nC
Время нарастания (tr): 95 ns
Выходная емкость (Cd): 910 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.008 Ohm
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для SUB75N06-08
SUB75N06-08 Datasheet (PDF)
sup75n06-08 sub75n06-08.pdf
SUP/SUB75N06-08N-Channel Enhancement-Mode TransistorsProduct SummaryV(BR)DSS (V) rDS(on) (W) ID (A)60 0.008 75aDTO-220ABTO-263GDRAIN connected to TABG D STop ViewG D SSSUB75N06-08Top ViewN-Channel MOSFETSUP75N06-08Absolute Maximum Ratings (TC = 25_C Unless Otherwise Noted)Parameter Symbol Limit UnitGate-Source Voltage VGS "20 VTC = 25_C 75aContinuous
sup75n06-08 sub75n06-08.pdf
SUP/SUB75N06-08Vishay SiliconixN-Channel 60-V (D-S), 175_C MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS (V) rDS(on) (W) ID (A)60 0.008 75aDTO-220ABTO-263GDRAIN connected to TABG D STop ViewG D SSSUB75N06-08Top ViewN-Channel MOSFETSUP75N06-08ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)Parameter Symbol Limit UnitGate-Source Voltage VGS "20 VTC = 25_C 75
sup75n06-07l sub75n06-07l.pdf
SUP/SUB75N06-07LVishay SiliconixN-Channel 60-V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY 175 C Rated Maximum Junction TemperatureV(BR)DSS (V) rDS(on) ()ID (A)Available0.0075 at VGS = 10 V RoHS*6075a0.0085 at VGS = 4.5 V COMPLIANTTO-220ABDTO-263DRAIN connected to TAB GG D STop ViewG D SSUB75N06-07LTop ViewSSUP75N06-07LN-Channel MOSFET
sub75n06-07l sup75n06-07l.pdf
SUP/SUB75N06-07LVishay SiliconixN-Channel 60-V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY 175 C Rated Maximum Junction TemperatureV(BR)DSS (V) rDS(on) ()ID (A)Available0.0075 at VGS = 10 V RoHS*6075a0.0085 at VGS = 4.5 V COMPLIANTTO-220ABDTO-263DRAIN connected to TAB GG D STop ViewG D SSUB75N06-07LTop ViewSSUP75N06-07LN-Channel MOSFET
sup75n06-12l sub75n06-12l.pdf
SUP/SUB75N06-12LVishay SiliconixN-Channel 60-V (D-S), 175_C MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS (V) rDS(on) (W) ID (A)0.012 @ VGS = 10 V 7560600.014 @ VGS = 4.5 V 70DTO-220ABTO-263GDRAIN connected to TABG D STop ViewG D SSSUB75N06-12LTop ViewN-Channel MOSFETSUP75N06-12LABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)Parameter Symbol Limit Unit
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BSS123K2 | BRU26N50 | BRU24N50 | BRI7N65 | BRI7N60 | BRI740 | BRI65R380C | BRI5N65 | BRI50N06 | BRI4N70 | BRI2N70 | BRGN250N65YK | BRFL8N65 | BRFL7N65S | BRFL70R360C | BRFL65R380C