Справочник MOSFET. HM45N06D

 

HM45N06D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HM45N06D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 45 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 430 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6-8L
 

 Аналог (замена) для HM45N06D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM45N06D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:669K  cn hmsemi
 hm45n06d.pdf pdf_icon

HM45N06D

HM45N06D N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM45N06D uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS = 60V,ID =35A RDS(ON)

 8.1. Size:972K  cn hmsemi
 hm45n02q.pdf pdf_icon

HM45N06D

HM45N02QDescription The HM45N02Q uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =20V,ID =45A RDS(ON)

 8.2. Size:1168K  cn hmsemi
 hm45n02d.pdf pdf_icon

HM45N06D

HM45N02DDescription The HM45N02D uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =20V,ID =45A RDS(ON)

Другие MOSFET... HM4487 , HM4487A , HM4487B , HM4488 , HM4490 , HM4503 , HM45N02D , HM45N02Q , IRF530 , HM45P02D , HM45P02Q , HM45P03K , HM4606 , HM4606A , HM4606B , HM4606C , HM4606D .

 

 
Back to Top

 


 
.