HM45N06D - описание и поиск аналогов

 

HM45N06D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HM45N06D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 430 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6-8L

Аналог (замена) для HM45N06D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM45N06D даташит

 ..1. Size:669K  cn hmsemi
 hm45n06d.pdf pdf_icon

HM45N06D

HM45N06D N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM45N06D uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS = 60V,ID =35A RDS(ON)

 8.1. Size:972K  cn hmsemi
 hm45n02q.pdf pdf_icon

HM45N06D

HM45N02Q Description The HM45N02Q uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =20V,ID =45A RDS(ON)

 8.2. Size:1168K  cn hmsemi
 hm45n02d.pdf pdf_icon

HM45N06D

HM45N02D Description The HM45N02D uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =20V,ID =45A RDS(ON)

Другие MOSFET... HM4487 , HM4487A , HM4487B , HM4488 , HM4490 , HM4503 , HM45N02D , HM45N02Q , IRF1010E , HM45P02D , HM45P02Q , HM45P03K , HM4606 , HM4606A , HM4606B , HM4606C , HM4606D .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.