HM4611B - описание и поиск аналогов

 

HM4611B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HM4611B

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 2.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для HM4611B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM4611B даташит

 ..1. Size:709K  cn hmsemi
hm4611b.pdfpdf_icon

HM4611B

HM4611B N and P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM4611B uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge . The complementary MOSFETs may be used to form a level shifted high side switch, and for a host of other applications. Schematic diagram General Features N-Channel VDS = 60V,ID =6.3A RDS(ON)

 8.1. Size:949K  cn hmsemi
hm4611.pdfpdf_icon

HM4611B

N and P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge . General Features N-Channel N-channel P-channel VDS = V,ID = Schematic diagram RDS(ON)

 8.2. Size:1105K  cn hmsemi
hm4611a.pdfpdf_icon

HM4611B

HM4611A N and P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM4611A uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge . It can be used in a wide variety of applications. General Features N-Channel N-channel P-channel VDS = 60V,ID =9.0A Schematic diagram RDS(ON)

 9.1. Size:830K  cn hmsemi
hm4618b.pdfpdf_icon

HM4611B

HM4618B N and P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM4618B uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge . The complementary MOSFETs may be used to form a level shifted high side switch, and for a host of other applications. General Features N-channel P-channel N-Channel VDS =40V,ID =8A Schematic diagram RDS(ON)

Другие MOSFET... HM45P03K , HM4606 , HM4606A , HM4606B , HM4606C , HM4606D , HM4611 , HM4611A , BS170 , HM4612 , HM4612D , HM4614 , HM4614B , HM4615 , HM4616 , HM4616A , HM4618 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.