Справочник MOSFET. HM4812

 

HM4812 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HM4812
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 2.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.031 Ohm
   Тип корпуса: SOP8

 Аналог (замена) для HM4812

 

 

HM4812 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:511K  cn hmsemi
 hm4812.pdf

HM4812 HM4812

HM4812Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM4812 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge.This device is suitable for use as a load switch and PWM applications. Schematic diagram Genera Features VDS = 30V,ID = 7A RDS(ON)

 9.1. Size:800K  cn hmsemi
 hm4813.pdf

HM4812 HM4812

HM4813Dual P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D1D2The HM4813 uses advanced trench technology to provide G1 G2excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. S1 S2Schematic diagram General Features VDS = -30V,ID = -7A RDS(ON)

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: AONS66916T | SUD80460E | RJK03E3DNS

 

 
Back to Top