HM4853A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HM4853A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.1 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 20 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 17 nC
Время нарастания (tr): 30 ns
Выходная емкость (Cd): 498 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.007 Ohm
Тип корпуса: SOP8
HM4853A Datasheet (PDF)
hm4853a.pdf
HM4853AP-Channel Enhancement Mode Power MOSFET D1D2Description G1 G2The HM4853A uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate S1 S2voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Schematic diagram General Features VDS = -20V,ID = -20A RS(ON)
hm4853.pdf
P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET D1D2Description G1 G2The uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate S1 S2voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Schematic diagram General Features VDS = -20V,ID = -9A RDS(ON)
hm4853b.pdf
HM4853BP-Channel Enhancement Mode Power MOSFET D1D2Description G1 G2The HM4853B uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate S1 S2voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Schematic diagram General Features VDS = -12V,ID = -8A RDS(ON)
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
