HM5001 - описание и поиск аналогов

 

HM5001. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HM5001

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.03 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 55.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 4.53 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 700 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для HM5001

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM5001 даташит

 ..1. Size:627K  cn hmsemi
 hm5001.pdf pdf_icon

HM5001

HM5001 Silicon N-Channel Power MOSFET (Depletion Mode) Features VDSX 600 V N-Channel IDSS,min 0.012 A RDS(ON),max 700 ESD improved Capability Depletion Mode dv/dt rated Pb-free lead plating;ROHS compliant Halogen Free Absolute Tc= 25 unless otherwise specified Symbol Parameter Rating Units VDSX Drain-to-Source Voltage 600 V Continu

Другие MOSFET... HM4N60K , HM4N65 , HM4N65F , HM4N65I , HM4N65K , HM4N65R , HM4N70F , HM4N90I , P55NF06 , HM50N03 , HM50N03I , HM50N03K , HM50N06 , HM50N06A , HM50N06D , HM50N06I , HM50N06K .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.