HM5001 - аналоги и даташиты транзистора

 

HM5001 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: HM5001
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.03 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 55.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 4.53 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 700 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для HM5001

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM5001 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:627K  cn hmsemi
 hm5001.pdf pdf_icon

HM5001

HM5001 Silicon N-Channel Power MOSFET (Depletion Mode) Features VDSX 600 V N-Channel IDSS,min 0.012 A RDS(ON),max 700 ESD improved Capability Depletion Mode dv/dt rated Pb-free lead plating;ROHS compliant Halogen Free AbsoluteTc= 25 unless otherwise specified Symbol Parameter Rating Units VDSX Drain-to-Source Voltage 600 V Continu

Другие MOSFET... HM4N60K , HM4N65 , HM4N65F , HM4N65I , HM4N65K , HM4N65R , HM4N70F , HM4N90I , 2SK3878 , HM50N03 , HM50N03I , HM50N03K , HM50N06 , HM50N06A , HM50N06D , HM50N06I , HM50N06K .

History: UT2302G-AE3-R | BRCS1C5P06MA | NCE30H11BG | IXFH170N10P | GP2M020A060N | SVG062R8NL5

 

 
Back to Top

 


 
.