HM5001 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HM5001
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.03 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 55.8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 4.53 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 700 Ohm
Тип корпуса: SOT23
HM5001 Datasheet (PDF)
hm5001.pdf
HM5001 Silicon N-Channel Power MOSFET (Depletion Mode) Features VDSX 600 V N-Channel IDSS,min 0.012 A RDS(ON),max 700 ESD improved Capability Depletion Mode dv/dt rated Pb-free lead plating;ROHS compliant Halogen Free AbsoluteTc= 25 unless otherwise specified Symbol Parameter Rating Units VDSX Drain-to-Source Voltage 600 V Continu
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: PHP27NQ11T
History: PHP27NQ11T
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918